隨著TCXO晶振被大量應(yīng)用到各行各業(yè),用戶對(duì)TCXO溫補(bǔ)晶振的性能和技術(shù)要求也越來(lái)越高,普通的OSC無(wú)法支持部分產(chǎn)品的性能需要,高精度,高精密的TCXO晶振就成了主要選擇之一.當(dāng)然,TCXO的優(yōu)勢(shì)遠(yuǎn)不止如此,本文主要目的,就是為廣大用戶分析解答TCXO的優(yōu)勢(shì)和技術(shù)細(xì)節(jié),以及大概的應(yīng)用范圍.
封裝精準(zhǔn)的TCXO,相比于傳統(tǒng)陶瓷封裝,使用SOIC-8具有下列優(yōu)勢(shì).
1.鷗翼式引線充當(dāng)器件和電路板應(yīng)力釋放緩沖器,使得板水平應(yīng)力不會(huì)影響裝置,例如,由于溫度變化板導(dǎo)致的彎曲或延展/壓縮沖擊.此外,這種樣式的引線能夠提供最優(yōu)異的焊點(diǎn)可靠性,并有助于低成本的視覺(jué)和/或光學(xué)檢查.
2.SOIC-8是擁有巨大裝機(jī)能力的最常用的半導(dǎo)體封裝之一,能夠確保供貨連續(xù)性和最佳的備貨時(shí)間.
Elite Super-TCXO是如何封裝的?
Elite Super-TCXO石英晶振封裝在6.0×4.9mmSOIC-8,外形細(xì)小的表面安裝型集成電路封裝內(nèi).
采用SOIC-8封裝的優(yōu)勢(shì)是什么?
使用I2C時(shí),頻率變更能夠達(dá)到多快?對(duì)相位噪聲的影響是什么?
由于0.1ppb的PLL分辨率和每秒10kHz的快速更新速率,所以在低帶寬的同步環(huán)路中數(shù)字拉對(duì)相位噪聲沒(méi)有影響.與傳統(tǒng)的VC-TCXO晶振相比,數(shù)字拉動(dòng)有兩個(gè)好處.
1.消除近載波相位噪聲的仿真VCXO晶振噪聲
2.消除通常需要的數(shù)字控制轉(zhuǎn)換成模擬控制電壓的外部DAC或PWM

Elite產(chǎn)品系統(tǒng)內(nèi)可程序設(shè)計(jì)性能夠提高抗噪聲性能并降低BOM.如上所示,基于石英的設(shè)計(jì)需要一個(gè)DAC,而基于MEMS的設(shè)計(jì)不需要DAC.
是否有任何的雜散信號(hào)?
對(duì)于所有常見(jiàn)TCXO頻率而言,雜散信號(hào)估計(jì)為<100dBc/Hz,能夠滿足所有應(yīng)用需求.
相比于石英TCXO,Elite Super-TCXO老化情況如何?
Elite Super-TCXO相比同類石英晶體器件,抗老化性能顯著提高,因?yàn)镸EMS諧振不具備已知的老化機(jī)制.在基于MEMS的振蕩器中,少量的老化是來(lái)自CMOS集成電路和電子電路和封裝之間的相互作用.可以通過(guò)優(yōu)化CMOS和封裝設(shè)計(jì)對(duì)其進(jìn)行控制.
是否需要為Elite Super-TCXO配備一個(gè)專門(mén)的LDO穩(wěn)壓器?
Elite Super-TCXO不需要專用的LDO穩(wěn)壓器,因?yàn)樗鼈儽旧砭哂卸嗉?jí)內(nèi)部電壓調(diào)節(jié),具有優(yōu)異的抗電壓的變化和電源噪聲性能.因?yàn)镋lite產(chǎn)品具有優(yōu)良的電源噪聲抑制(PSNR)表現(xiàn),任何板上開(kāi)關(guān)電源都可用于Super-TCXO溫補(bǔ)振蕩器的供電.

與此相反,石英振蕩器易受電源噪聲影響,并且需要專用的LDO穩(wěn)壓器
PSNR性能如何?
Elite Super-TCXO的PSNR性能為0.2ps峰-峰每mV,對(duì)于一個(gè)單端輸出設(shè)備來(lái)說(shuō),其性能是最佳的.這使Elite Super-TCXO晶振即使在嘈雜的電源條件下能夠保持其應(yīng)有的性能.
哪些應(yīng)用能夠從Elite精準(zhǔn)Super-TCXO和它的動(dòng)態(tài)性能和數(shù)字頻率控制特性中受益?
Elite Super-TCXO的典型應(yīng)用包括:
SONET;SDHStratum3和Stratum4;同步以太網(wǎng)(G.8262,選項(xiàng)1和2)/小基站與Femtocells;同步以太網(wǎng);IEEE 1588;光傳送(OTN,OLT等);微波射頻;CMTS(電纜頭端和視頻配電設(shè)備);COSPAS;SARSAT;寬帶衛(wèi)星;測(cè)試儀器;工業(yè)GNSS;基于GNSS的自動(dòng)駕駛.

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